[发明专利]铪合金靶及其制造方法有效
| 申请号： | 200480006256.8 | 申请日： | 2004-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1759202A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 冈部岳夫;入间田修一;山越康广;宫下博仁;铃木了 | 申请（专利权）人： | 株式会社日矿材料 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/316;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种铪合金靶，其特征在于，Hf中含有总计100重量ppm－10重量％的Zr或Ti中的任一方或双方，并且平均结晶粒径为1－100μm；作为杂质的Fe、Cr、Ni分别为1重量ppm以下；并且{002}与从该面起35°以内的{103}、{014}、{015}四个面的晶体惯态面取向率为55％以上，并且由于位置不同而引起的四个面的强度比的总和的偏差在20％以下。得到成膜特性和成膜速度良好、很少产生颗粒、并且能够很好地适用于形成HfO或HfON膜等高电介质门绝缘膜的铪合金靶及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铪合金靶，其特征在于，Hf中包含总计100重量ppm-10重量％的Zr或Ti中的任一方或双方。
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