[发明专利]代码自适应的磁光写入策略无效

专利信息
申请号: 200480006455.9 申请日: 2004-03-03
公开(公告)号: CN1759442A 公开(公告)日: 2006-04-12
发明(设计)人: H·W·范科斯特恩 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: G11B7/0045 分类号: G11B7/0045;G11B11/105
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴立明;张志醒
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明涉及一种用于依照写入数据,使用预定功率等级(Pw)的激光束和调制到至少两个预定场等级(+Hw;-Hw)的磁场,来把数据写入磁光记录介质的存储层的方法和设备。根据先前记录的数据模式来调整预定的功率等级和/或至少两个预定的场等级,以便补偿由先前记录的数据模式的行程长度所引起的杂散场变化。借此可以减少读出抖动和错误。
搜索关键词: 代码 自适应 写入 策略
【主权项】:
1.一种用于把数据写入磁光记录介质(10)的存储层的设备,所述设备包括:a)写入装置(12,30),用于依照所述写入数据,使用预定功率等级和定时的辐射光束以及调制到至少两个预定场等级的磁场,来把所述数据写入所述存储层;b)转换装置(22;23),用于把先前提供给所述写入装置的数据模式转换为控制信号;和c)调整装置(14;32),用于接收所述控制信号并且用于根据所述控制信号调整以下的至少一个:所述预定功率等级、所述定时和所述至少两个预定场等级。
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