[发明专利]淀积氧化硅于大面积基板上的方法及设备有效
| 申请号： | 200480006772.0 | 申请日： | 2004-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1759476A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 桑贾伊·D·亚达夫;上泉元;温德尔·T·布伦尼格 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C23C16/448 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用来以至少每分钟3000埃()的速率将一电介质淀积到一至少约0.35平方米的大面积基板上的方法及设备。在一实施例中，该电介质为氧化硅。也提供一种大面积基板，其具有一层电介质被淀积于其上，该电介质层是利用一可达到每分钟超过3000埃的淀积速率来进行淀积，也提供一种制造该大面积基板的反应腔。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 大面积 基板上 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种淀积电介质于大面积基板上的方法，其至少包括如下步骤：将一具有至少0.375平方米表面积的基板置于反应腔内的基板支撑组件上；加热所述基板；在大于约730sccm的流率下将至少一前体气体流入所述反应腔内；由至少所述前体气体形成等离子于所述反应腔内；及在每分钟大于约3000埃()到至少约4000埃的速率下淀积一电介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
