[发明专利]腐蚀用或洗涤用溶液的制造方法无效
| 申请号： | 200480006797.0 | 申请日： | 2004-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1759472A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 陶山诚;毛塚健彦;板野充司 | 申请（专利权）人： | 大金工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;杨青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 腐蚀用或洗涤用溶液的制造方法，所述溶液的特征在于，其含有(1)由选自氨、羟胺类、脂肪族胺类、芳香族胺类、脂肪族或芳香族季铵盐构成的组中的至少一种和氢氟酸形成的氟化物盐及氟化氢盐中的至少一种；(2)具有杂原子的有机溶剂中的至少一种；以及(3)水，所述方法包括：工序1，将氢氟酸水溶液和具有杂原子的有机溶剂中的至少一种混合；和工序2，将工序1得到的混合物和选自氨、羟胺类、脂肪族胺类、芳香族胺类、脂肪族或芳香族季铵盐构成的组中的至少一种或其氟化物盐混合。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀 洗涤 溶液 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.腐蚀用或清洗用溶液的制造方法，所述溶液含有(1)由选自氨、羟胺类、脂肪族胺类、芳香族胺类、脂肪族或芳香族季铵盐构成的组中的至少一种与氢氟酸形成的氟化物盐及氟化氢盐中的至少一种；(2)具有杂原子的有机溶剂中的至少一种；以及(3)水，所述方法包括：工序1：将氢氟酸水溶液和具有杂原子的有机溶剂中的至少一种混合；以及工序2：将工序1得到的混合物和选自氨、羟胺类、脂肪族胺类、芳香族胺类、脂肪族或芳香族季铵盐构成的组中的至少一种或其氟化物盐混合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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