[发明专利]Ⅲ－V族单晶半导体化合物平衡压力生长装置与方法无效
| 申请号： | 200480006874.2 | 申请日： | 2004-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN1798879A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | X·G·刘;M·杨 | 申请（专利权）人： | AXT公司 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B13/28 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于密闭系统中 III－V族单晶半导体化合物生长的装置和方法，在该密闭系统中，一个密封安瓿与一个压力容器之间的压力维持平衡。可利用密封安瓿的温度、多晶炉料的数量以及材料例如磷的量将密封安瓿内部的蒸汽压控制在5atm。填充和释放一种惰性气体来控制压力容器的压力。 | ||
| 搜索关键词： | 族单晶 半导体 化合物 平衡 压力 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种进行III-V族半导体晶体化合物晶体生长的方法，包括：将一个含有一个晶种的坩埚装入一个安瓿中；密封该安瓿；将密封安瓿装入位于一个压力器内部的加热单元中；将该安瓿升温；以及根据一个预定的温度-压力关系，通过向该压力容器内填充一种惰性气体和释放该压力容器内的惰性气体，调整该压力容器内的蒸汽压，以便在该晶体生长的温度范围内，该安瓿与该容器之间的压差维持在一个近似的零值。
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