[发明专利]改良的局部双道金属镶嵌平坦化系统、方法与设备有效
| 申请号： | 200480006964.1 | 申请日： | 2004-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1823405A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | S·P·洛霍卡雷;A·D·贝利三世;D·赫克;J·M·库克 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种图案化的半导体衬底的平坦化系统与方法，包含接收图案化的半导体衬底。该图案化的半导体衬底具有填满该图案之中的多个特征的导电性互连材料。该导电性互连材料具有过度沉积部分。该过度沉积部分具有局部性不均匀。在该过度沉积部分之上形成一额外层。平坦化该额外层与该过度沉积部分。该平坦化过程基本上完全去除该额外层。 | ||
| 搜索关键词： | 改良 局部 金属 镶嵌 平坦 系统 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种图案化的半导体衬底的平坦化方法，包含以下步骤：接收图案化的半导体衬底，该半导体衬底具有填满于该图案中的多个特征的导电性互连材料，且该导电性互连材料具有过度沉积部分，该过度沉积部分具有局部性不均匀；在该过度沉积部分上形成一额外层；及平坦化该额外层与该过度沉积部分，在该平坦化过程中基本上完全去除该额外层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
