[发明专利]光刻掩膜板的制造方法无效
申请号: | 200480007041.8 | 申请日: | 2004-03-26 |
公开(公告)号: | CN1761913A | 公开(公告)日: | 2006-04-19 |
发明(设计)人: | 畑光明 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;H01L21/027;B05C11/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陈伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种光刻掩膜板的制造方法,在形成作为复制图案的薄膜的基板上通过旋转涂敷处理形成抗蚀性液的膜后,用外罩部件覆盖基板的表面,从该外罩部件的上方供给溶剂,一面使基板和外罩部件一体地旋转,一面向基板的周缘部供给溶剂,溶解去除抗蚀性膜的不要部分。在进行溶解去除抗蚀性膜的不要部分的不要膜去除处理之前,对通过旋转涂敷处理形成的抗蚀性膜进行为了抑制不要膜去除处理中的抗蚀性膜的面内膜厚均匀性的恶化的减压干燥处理。 | ||
搜索关键词: | 光刻 掩膜板 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光刻掩膜板的制造方法,在形成着作为复制图案的薄膜的带薄膜的基板上,通过旋转涂敷处理形成抗蚀性液的膜后,用外罩部件覆盖上述基板的表面,从该外罩部件的上方供给溶剂,一面使上述基板和上述外罩部件一体地旋转、一面将上述溶剂向上述基板的周缘部供给,以此溶解去除上述抗蚀性膜的不要部分,其特征在于,在溶解去除上述抗蚀性膜的不要部分的不要膜去除处理之前,对在上述旋转涂敷处理中形成的上述抗蚀性膜进行减压干燥处理,该减压干燥处理是为了抑制在上述不要膜去除处理中、上述抗蚀性膜的面内膜厚均匀性的恶化。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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