[发明专利]高SMSR单向蚀刻激光器和低背反射光子器件有效
| 申请号： | 200480007097.3 | 申请日： | 2004-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1795591A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | A·A·贝法尔;小A·T·施雷默尔;C·B·斯塔盖瑞斯库 | 申请（专利权）人： | 宾奥普迪克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/083 | 分类号： | H01S3/083;H01S3/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过在激光腔中形成一个或多个蚀刻间隙(78、80)增强激光器的单向性。这些间隙可以设置于激光器的任何分段中，诸如环形激光器的任何支架，或者V形激光器(60)的一个支架(62)中。与激光器耦合的光子器件远端处的布儒斯特角小面降低了进入激光腔的背反射。分布布拉格反射器在激光器的输出处用于增强激光器的边模抑制率。 | ||
| 搜索关键词： | smsr 单向 蚀刻 激光器 反射 光子 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：半导体激光腔，具有至少一分段和至少一输出；至少一个蚀刻间隙，它位于所述至少一分段中；以及至少一个分布布拉格反射器(DBR)，它位于所述至少一个输出处。
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