[发明专利]多位非易失性存储器器件及其方法

摘要

一种多位非易失性存储器器件，包括电荷存储层(14)，电荷存储层(14)夹在半导体基片(10)上所形成的两个绝缘层(12和16)之间。在电荷存储层上形成厚氧化层(18)，并在厚氧化物层(18)中蚀刻最小特征尺寸的孔。在厚氧化物层(18)中形成开口。在电荷存储层上孔的内壁上形成的侧壁间隔物(60)在它们之间具有小于最小特征尺寸的空隙(62)。当蚀刻掉电荷存储层时，侧壁间隔物(60)用于屏蔽部分电荷存储层(14)，从而形成在侧壁间隔物(60)下面的两个分开的电荷存储区(55和57)。器件制造过程仅使用一个屏蔽步骤。分开的电荷存储区阻止了氮化物中电荷的横向传导。

主权项

1.一种制造存储器器件的方法，所述方法包括：在基片上形成材料层，该材料层对栅极材料具有蚀刻选择性；在该材料层中形成开口；形成第一电荷存储结构和第二电荷存储结构，其中通过以下处理形成第一电荷存储结构和第二电荷存储结构，即透过该开口蚀刻电荷存储材料层，以在电荷存储材料层中形成开口，其中，第一电荷存储结构包括蚀刻后所剩余的且处在电荷存储材料层中开口的第一侧的至少一部分电荷存储材料层，且其中，第二电荷存储结构包括蚀刻后所剩余的且处在电荷存储材料层中开口的第二侧的至少一部分电荷存储材料层；形成栅极，其中，形成栅极包括在材料层中的开口中沉积栅极材料以形成至少一部分栅极，其中，该部分栅极包括处在至少一部分第一电荷存储结构以及至少一部分第二电荷存储结构上的部分。