[发明专利]氮化物半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200480007918.3 | 申请日： | 2004-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN1765036A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 菅原岳;川口靖利;石桥明彦;木户口勋;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的氮化物半导体元件的制造方法，其中包括：工序(A)，其准备：作为被分割成多个芯片用基板的氮化物半导体基板，分割后具有起着各芯片用基板作用的多个元件部分，和将所述元件部分结合的元件间部分，所述元件间部分的平均厚度比所述元件部分厚度小的氮化物半导体基板；工序(B)，其在氮化物半导体基板的上面形成在所述元件部分上具有条状开口部分的掩模层；工序(C)，其在所述氮化物半导体基板的上面，在通过所述掩模层的所述开口部分露出的区域上，使氮化物半导体层选择性生长；和工序(D)，其将所述氮化物半导体基板从所述氮化物半导体基板的元件间部分劈开，形成具有被分割成单个芯片用基板的多个氮化物半导体元件的。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体元件的制造方法，其中包括：准备氮化物半导体基板的工序(A)，其中所述氮化物半导体基板作为被分割成多个芯片用基板的氮化物半导体基板，具有分割后起着各芯片用基板作用的多个元件部分、和将所述元件部分结合的元件间部分，所述元件间部分的平均厚度，比所述氮化物半导体基板其他部分的厚度更小；工序(B)，其在氮化物半导体基板的上面形成所述元件部分上具有条状开口部分的掩模层；工序(C)，其在所述氮化物半导体基板的上面、通过所述掩模层的所述开口部分而露出的区域上，使氮化物半导体层选择性生长；和工序(D)，其从所述氮化物半导体基板的元件间部分劈开所述氮化物半导体基板，形成具有被分割成单个芯片用基板的多个氮化物半导体元件。
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