[发明专利]等离子体的点火方法和基板处理方法无效
| 申请号： | 200480008004.9 | 申请日： | 2004-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1765008A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 井下田真信;山崎和良;青山真太郎;神力博 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种等离子体点火方法，该方法解决将处理容器的内部抽真空的状态下停止运转的情况下，即使重启运行也会出现不容易点火等离子体的现象的问题。向处理容器(21)中流通含氧气体，一边排放出所述处理容器(21)内部的气体，一边用紫外光照射所述含氧气体。之后，驱动远距离等离子体源(26)，点火等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 点火 方法 处理 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体点火方法，在设置于处理容器的等离子体源中，点火等离子体，其特征在于，包括：向处理容器中流通含氧气体的工序；在所述处理容器中，一边排出所述处理容器内的气体，一边对所述含氧气体照射紫外光的工序；在所述照射紫外光的工序之后，驱动所述等离子体源的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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