[发明专利]硅基板及其形成方法无效
申请号: | 200480008005.3 | 申请日: | 2004-03-31 |
公开(公告)号: | CN1764855A | 公开(公告)日: | 2006-04-26 |
发明(设计)人: | 永田清一 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社;永田清一 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及硅基板,硅基板1的结构是,在结晶质硅基板的至少一个主面2一侧形成有硅结晶的凹部,具有以被埋入该凹部的氧化硅该为主要成分的玻璃质区域3。另外,关于玻璃质区域3,其玻璃化转变温度Tg比纯粹的二氧化硅玻璃的玻璃化转变温度低、为900℃以下。通过成为这样的构成,能够实现玻璃与硅结晶之间的内部变形减少的硅基板及其形成方法。 | ||
搜索关键词: | 硅基板 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硅基板,其特征在于:在结晶质硅基板的至少一个主面一侧形成硅结晶的凹部,具有以被埋入该凹部的氧化硅该为主要成分的玻璃质区域,同时,所述玻璃质区域的玻璃化转变温度Tg比纯粹的二氧化硅玻璃的玻璃化转变温度低、是900℃以下。
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