[发明专利]使用了具有自旋相关转移特性的晶体管的可再构成的逻辑电路无效
| 申请号： | 200480008103.7 | 申请日： | 2004-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1765054A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 菅原聪;松野知纮;田中雅明 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题是构成非易失地可再构成的逻辑电路。这是采用了自旋NOSFET的CMOS结构的可再构成的逻辑电路。通过由作为自旋NOSFET的Tr1、Tr2、Tr5、Tr8的磁化状态改变各个晶体管的转移特性，可再构成“与”/“或”/“异”/“与非”/“或非”/“同”/“1”/“0”的全2输入对称函数。由于能够非易失且以少的元件数构成逻辑功能，故可缩小芯片面积，期待高速低功耗工作。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 具有 自旋 相关 转移 特性 晶体管 构成 逻辑电路 | ||
【主权项】：
1.一种电路，包含具有与传导载流子的自旋方向相关的转移特性的自旋晶体管，其特征在于，基于随着改变上述传导载流子的自旋方向而改变的上述自旋晶体管的转移特性，可改变工作点并且再构成功能。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于独立行政法人科学技术振兴机构，未经独立行政法人科学技术振兴机构许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480008103.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
