[发明专利]非水电解质二次电池及其制造方法有效
| 申请号： | 200480008500.4 | 申请日： | 2004-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1768438A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 佐藤俊忠;岛村治成;大山秀明;美藤靖彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/02;H01M4/04;H01M4/62;H01M4/66;H01M10/40 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种具有优良的充电/放电循环特性的非水电解质二次电池，更具体地讲，提供一种其中抑制由于充电/放电循环引起的负电极导电性恶化的非水电解质二次电池及其制造方法。非水电解质二次电池包括：能够可逆地吸收和释放Li离子的正电极和负电极；以及具有锂离子导电性的非水电解质。负电极包括集电器和设置在集电器表面上的活性材料颗粒。所述活性材料颗粒包括Si和至少一种选自由Sn、In、Ga、Pb和Bi组成的组中的元素R。在活性材料颗粒之间形成包含元素R的金属键。 | ||
| 搜索关键词： | 水电 二次 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非水电解质二次电池，包括：能够可逆地吸收和释放Li离子的正电极和负电极；以及具有锂离子导电性的非水电解质，其中所述负电极包括集电器和设置在所述集电器表面上的活性材料颗粒，所述活性材料颗粒包括Si和至少一种选自由Sn、In、Ga、Pb和Bi组成的组中的元素R，并且在所述活性材料颗粒之间形成包含所述元素R的金属键。
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