[发明专利]纳米层沉积法无效

专利信息
申请号: 200480008560.6 申请日: 2004-02-04
公开(公告)号: CN1768158A 公开(公告)日: 2006-05-03
发明(设计)人: 图·古延;泰·D·古延 申请(专利权)人: 泰格尔公司
主分类号: C23C16/00 分类号: C23C16/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 宋莉;贾静环
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供了一种CVD和ALD的混合沉积法,其称为纳米层沉积(“NLD”)。该NLD法是一种循环沉积法,包括第一步(40):引入第一多个前体,用非自限制的沉积方法沉积薄膜,然后第二步(41):排空第一组前体和第三步(42):引入第二多个前体以改进该沉积薄膜。NLD中的沉积步骤是非自限制的且为基底温度和处理时间的函数。第二组前体改进该已沉积膜的特性。第二组前体可处理该沉积膜,例如膜组成的改进、掺杂、或杂质的去除。第二组前体还可沉积另一膜。附加的层可与现有的层反应以形成化合物层,或可最低限度地反应以形成纳米层压膜。
搜索关键词: 纳米 沉积
【主权项】:
1.一种沉积薄膜的沉积方法,包括下列步骤:a.向室中引入第一多个前体,以非自限制的沉积方法在基底上沉积第一层;b.排空该第一前体;和c.在改进方法中引入对该沉积的第一层进行改进的第二不同多个前体,其中第二多个前体中的至少一种前体不同于第一多个前体。
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