[发明专利]薄膜形成装置和薄膜形成方法无效
申请号: | 200480008610.0 | 申请日: | 2004-02-23 |
公开(公告)号: | CN1768161A | 公开(公告)日: | 2006-05-03 |
发明(设计)人: | 前田菊男;户田义朗;深泽孝二 | 申请(专利权)人: | 柯尼卡美能达控股株式会社 |
主分类号: | C23C16/509 | 分类号: | C23C16/509;C23C16/54 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陈伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种薄膜形成装置。其具有:第一电极和第二电极,其相互的放电面相对形成放电空间,在上述放电空间内发生高频电场;气体供给部,其向上述放电空间供给含有薄膜形成气的气体,通过高频电场把该气体激活,把基板暴露于上述被激活的气体,以在上述基板上形成薄膜。该薄膜形成装置还具有:膜运送机构,其把用于防止上述第一电极和上述第二电极的至少一方暴露于上述激活的气体中的净化膜,与上述第一电极和上述第二电极的至少一方的放电面及接连于上述放电面的上述放电面以外的表面的至少一部分贴紧运送。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 形成 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜形成装置,其特征在于,具有:第一电极和第二电极,其相互的放电面相对形成放电空间,并在上述放电空间内发生高频电场;气体供给部,其向上述放电空间供给含有薄膜形成气的气体,以便于通过高频电场把上述气体激活,并把基板暴露于上述被激活的气体中,以在上述基板上形成薄膜;膜运送机构,其把用于防止上述第一电极和上述第二电极的至少一方暴露于上述激活的气体中的净化膜,与上述第一电极和上述第二电极的至少一方的放电面以及接连于上述放电面的上述放电面以外的表面的至少一部分贴紧并运送。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的