[发明专利]液浸曝光处理用抗蚀剂组合物及使用该抗蚀剂组合物的抗蚀剂图形形成方法有效
| 申请号： | 200480008654.3 | 申请日： | 2004-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1768305A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 远藤浩太朗;吉田正昭;平山拓;辻裕光;绪方寿幸;佐藤充 | 申请（专利权）人： | 东京応化工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/039 | 分类号： | G03F7/039;G03F7/038;G03F7/004 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邰红;邹雪梅 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及含有(A)含有碱可溶性结构单元(a1)，并且在酸的作用下碱可溶性发生变化的聚合物，其中结构单元(a1)含有同时具有(i)氟原子或氟代烷基和(ii)醇羟基的脂环基，以及(B)通过光照产生酸的酸发生剂的液浸曝光处理用抗蚀剂组合物，以及使用该组合物的抗蚀剂图形形成方法。由此不仅能实现高分辨率和焦点深度，还可回避浸渍液的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 处理 用抗蚀剂 组合 使用 抗蚀剂 图形 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种液浸曝光处理用抗蚀剂组合物，其用于通过液体曝光抗蚀剂膜的液浸曝光处理，其特征在于，将使用该抗蚀剂组合物形成的涂膜曝光后或以未曝光的状态浸渍在氟系液体中，接下来在该浸渍状态下利用石英晶体振子法测定该涂膜膜厚度的变化时，曝光后的涂膜和未曝光的涂膜两者从测定开始10秒钟内的最大膜厚增加量均小于或等于3.0nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京応化工业株式会社，未经东京応化工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480008654.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：出租服务服务器和出租服务系统
- 下一篇：存储器访问受保护的智能卡
