[发明专利]使用毫微多孔性介电熔块的电渗泵无效
| 申请号： | 200480008679.3 | 申请日： | 2004-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN1768000A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | R·S·利斯特;A·迈尔斯;Q·武 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;F04B19/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 原绍辉;杨松龄 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电渗泵可利用半导体加工技术由毫微孔开孔介电熔块制造成。这种熔块可以使得电渗泵具有更好的抽吸性能。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 多孔 性介电熔块 电渗泵 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在半导体晶片中形成槽；在所述槽中形成毫微孔开孔电介质；以及利用电介质作为熔块以便形成电渗泵。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480008679.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：儿童椅座罩
- 下一篇：使用通信线路的信息提供系统
