[发明专利]有机薄膜晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 200480008727.9 | 申请日： | 2004-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1768437A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 小金井昭雄;诸田孝光 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/10 | 分类号： | H01L51/10;H01L51/40;H05B33/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种有机薄膜晶体管，包含有机衬底、栅电极、栅绝缘膜、有机半导体膜、源电极和漏电极，且在有机薄膜晶体管中，与栅绝缘膜接触的栅电极平均表面粗糙度Ra为0.1－15nm。这种有机薄膜晶体管，即使其用作栅电极的导体膜制作在形状不固定、平整度比硅晶片差的衬底上，如玻璃环氧树脂衬底上，也能具有稳定的性能特性。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机薄膜晶体管，包括：有机衬底；栅电极；栅绝缘膜；有机半导体膜；源电极；以及漏电极，其中与栅绝缘膜接触的栅电极平均表面粗糙度Ra为0.1-15nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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