[发明专利]钽溅射靶及其制造方法无效
申请号: | 200480009258.2 | 申请日: | 2004-02-19 |
公开(公告)号: | CN1771350A | 公开(公告)日: | 2006-05-10 |
发明(设计)人: | 小田国博;福岛笃志 | 申请(专利权)人: | 株式会社日矿材料 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C22F1/18 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 樊卫民;杨青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明通过对熔融铸造的钽锭或钽坯进行锻造、退火和轧制操作,从而提供了由此制得的钽溅射靶,其中所述钽靶的结构含有未再结晶结构。该钽溅射靶具有高淀积速度和出色的膜均一性,产生较少的电弧和粒子,并具有出色的成膜性能,并通过改进和修正诸如锻造和轧制的塑性加工步骤以及热处理步骤,提供能稳定制造所述钽靶的方法。 | ||
搜索关键词: | 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.通过对熔融铸造的钽锭或钽坯进行诸如锻造、退火和轧制的塑性加工而制得的钽溅射靶,其中所述钽靶的结构含有未再结晶结构。
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