[发明专利]放置台结构以及具有该放置台结构的热处理装置无效
申请号: | 200480009294.9 | 申请日: | 2004-04-07 |
公开(公告)号: | CN1833312A | 公开(公告)日: | 2006-09-13 |
发明(设计)人: | 川崎裕雄;岩田辉夫;纲仓学 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/31 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种热处理装置,将被处理体(W)放置在经由支柱而从处理容器(4)的底部立起并在内部埋入有加热装置(38)的放置台(32)的上面,对该被处理体进行规定热处理,其中,在上述放置台的上面、侧面和下面分别设置有具有耐热性的盖部件(72、73、76)。因此,可以防止成为污染原因的金属原子等从放置台热扩散情况的发生,从而,可以防止金属污染或者有机污染等的各种污染的发生。 | ||
搜索关键词: | 放置 结构 以及 具有 热处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种放置台结构,其特征在于,包括:放置台,具有为了在处理容器内、对被处理体进行规定的热处理而放置所述被处理体,并同时加热所述被处理体的加热装置;和从所述处理容器的底部立起而支撑该放置台的支柱,其中,在所述放置台的上面、侧面和下面分别设置有具有耐热性的上面盖部件、侧面盖部件和下面盖部件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480009294.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:磁记录介质和磁存储装置
- 下一篇:表面处理比如等离子处理的设备和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造