[发明专利]形成FinFET装置中的栅极以及薄化该FinFET装置的沟道区中的鳍的方法

摘要

一种制备FinFET装置(100)的方法包括在绝缘层(120)上形成鳍结构(210)。该鳍结构(210)包括导电鳍。该方法还包括形成源极/漏极区(220/230)并在鳍(210)上形成虚拟栅极(300)。可去除该虚拟栅极(300)，并可减小沟道区中的鳍(210)的宽度。该方法进一步包括沉积金属材料(1010)以取代所去除的虚拟栅极(300)。

主权项

1.一种在FinFET装置(100)中形成栅极的方法，包括：在绝缘体上硅(SOI)晶片上沉积第一介电层(140)，所述SOI晶片包含绝缘层(120)上的硅层(130)；在所述第一介电层(140)的一部分上形成抗蚀剂掩模(150)；蚀刻第一介电层(140)和硅层(130)未被所述抗蚀剂掩模(150)所覆盖的部分，以形成鳍(210)和覆盖所述鳍(210)的上表面的介电盖(140)；在所述介电盖(140)上沉积栅极层(310)；在所述栅极层(310)上沉积第二介电层(320)；蚀刻所述栅极层(310)和第二介电层(320)以形成栅极结构(300)；形成邻接所述栅极结构(300)的侧壁隔离物(410)；在所述FinFET装置(100)上形成第三介电层(610)；平坦化所述第三介电层(610)以暴露出所述第二介电层(320)的上表面；去除所述栅极结构(300)内的第二介电层(320)和栅极层(310)；蚀刻所述鳍(210)以减小所述半导体装置(100)的沟道区中的鳍(210)的宽度；以及沉积栅极材料(1010)以取代所去除的栅极层(310)。