[发明专利]用于EUV光源的集光器

摘要

揭示一种从EUV光源EUV集光器反射表面去除碎片的方法与设备，反射表面含第一材料，碎片含第二材料和/或第二材料的化合物。该系统与方法包括一受控的溅射离子源，该溅射离子源包括含溅射离子材料原子的气体；和一把溅射离子材料的原子激发成电离态的激发机构，电离态被选成具有围绕选定能量峰的分布，对第二材料具有高的溅射概率，而对第一材料具有极低的溅射概率。激发机构包括一RF或微波感应机构。气体保持于部分决定选定能量峰的压力，激发机构产生溅射离子材料的离子流入量，从反射器表面形成第二材料的原子溅射密度，它等于或超过第二材料等离子体碎片原子的流入速率。对指定的反射表面期望寿命选择溅射速率。反射表面可被覆盖。集光器包括椭圆镜与包含径向延伸沟道的碎片屏。第一材料是钼，第二材料为锂，离子材料为氦，系统具有从反射表面蒸发第二材料的加热器，激发机构在点火时刻之间连接反射表面，反射表面有阻挡层。集光器是组合了掠入射角反射器壳体的球面镜，通过对反射器壳体上的多层堆选用层材料，壳体可用作光谱滤波器。溅射可结合加热，后者去除锂，前者去除锂化合物，可用等离子体生成的离子作溅射而不用受激的气体原子。

主权项

1.一种去除EUV光源EUV集光器反射表面上等离子体产生的残片的碎片去除系统，其中反射表面含第一材料，残片含第二材料，其特征在于，包括：受控溅射离子源，包括：含溅射离子材料的原子的气体；把溅射离子材料的原子激发成电离态的激发机构，所述电离态被选成具有围绕被选能量峰的分布，对第二材料有高的溅射概率，对第一材料具有极低的溅射概率。