[发明专利]半导体晶片加工用基膜无效
| 申请号： | 200480009442.7 | 申请日： | 2004-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN1771585A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 古谷幸治 | 申请（专利权）人： | 帝人杜邦菲林日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体晶片加工用基膜，该基膜以聚2，6－萘二甲酸乙二醇酯为主要成分，具有在高温及高湿下优异的尺寸稳定性、平滑性、机械强度和优异的加工适性。该薄膜是以聚2，6－萘二甲酸乙二醇酯为主要成分而制成的双轴取向薄膜，含有具有如下特征的半导体晶片加工用基膜：在200℃热处理10分钟后的薄膜热收缩率在薄膜的制膜方向和宽度方向都为1.00％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 工用 | ||
【主权项】：
1.半导体晶片加工用基膜，该基膜是以聚2，6-萘二甲酸乙二醇酯为主要成分的双轴取向薄膜，其特征在于：在200℃加热处理10分钟后薄膜的热收缩率在薄膜的制膜方向和宽度方向均为1.00％以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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