[发明专利]集成电路芯片I/O单元有效
| 申请号： | 200480009498.2 | 申请日： | 2004-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1771598A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 哈罗德·A·唐尼;苏珊·H·唐尼;詹姆士·W·米勒 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李涛;钟强 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种集成电路芯片(103)，包括输入/输出(I/O)单元(203)。I/O单元包括在衬底中的有源I/O电路(211)，多层金属互连层(316、314)，绝缘层、第一焊盘(206)、和第二焊盘(208)。在衬底上形成多层金属互连层。在多层金属互连层上形成绝缘层。第二焊盘(208)形成在绝缘层上并且直接位于多个互连层的最终金属层中的至少两个金属结构(213、215)上。通过在绝缘层(203)中至少有一个开孔(211)将焊盘至少选择性地连接到两个金属结构之一。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 芯片 单元 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)芯片，包括多个输入/输出(I/O)单元，每个I/O单元包括：位于IC芯片的衬底中的有源I/O电路；在衬底上形成的多层金属互连层，该多层金属互连层包括第一电源导体、第二电源导体以及信号导体；在多层金属互连层上形成的绝缘层；形成在绝缘层上并且连接到信号导体的第一焊盘；以及形成在绝缘层上的第二焊盘，该第二焊盘直接在多层金属互连层的顶金属层中的两个金属结构上，其中，第二焊盘通过在绝缘层中的至少一个开孔选择性地连接到至少两个金属结构之一。
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