[发明专利]制造双极型半导体元件的方法和相应的双极型半导体元件有效
| 申请号： | 200480009511.4 | 申请日： | 2004-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1771605A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·伯克;托马斯·迈斯特;赖因哈德·施滕格尔;希尔伯特·舍费尔 | 申请（专利权）人： | 印芬龙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/737;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 公开了一种双极型半导体元件的制造方法，以及双极型半导体元件。该方法包括：在半导体基片上配备第一导电型的第一半导体区域；在第一半导体区域上配备第一导电型的连接区域；在连接区域上配备第一绝缘区域；在第一绝缘区域和连接区域内形成窗口，以便至少部分地暴露第一半导体区域；在窗口中配备侧壁分隔片，以便绝缘端子区域；配备第二导电型的第二半导体区域，以便覆盖侧壁分隔片，以及环绕第一绝缘区域的一部分；移除环绕第一绝缘区域和侧壁分隔片，以便形成连接区域与第二半导体区域之间的间隙；以及当借助于第二绝缘区域密封所述间隙时，在所密封的间隙内部配备气体气氛或真空气氛。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 双极型 半导体 元件 方法 相应 | ||
【主权项】：
1、一种制造双极型半导体元件，尤其是双极型晶体管的方法，包括以下步骤：在半导体基片(1)上配备第一导电型(p)的第一半导体区域(32，34)；在所述半导体区域(32，34)上配备第一导电型(p+)的端子区域(40)；在所述端子区域(40)上配备第一绝缘区域(35”)；以至少部分地暴露所述半导体区域(32，34)为目的而在第一绝缘区域(35”)和端子区域(40)中形成窗口(F)；以绝缘所述端子区域(40)为目的而在窗口(F)中配备侧壁分隔片(80)；以覆盖侧壁分隔片(80)并且环绕第一绝缘区域(35”)的一部分的方式配备第二导电型(n+)的第二半导体区域(60)；以形成端子区域(40)与第二半导体区域(60)之间的间隙(LS)为目的而移除环绕第一绝缘区域(35”)和侧壁分隔片(80)；以及用第二绝缘区域(100)封闭间隙(LS)，同时在所封闭的间隙(LS)中提供气体或真空的气氛。
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