[发明专利]半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合金属－绝缘体－金属电容器有效
| 申请号： | 200480009519.0 | 申请日： | 2004-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1771603A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | A·卡儿－罗伊;M·拉卡内利;D·霍华德 | 申请（专利权）人： | 杰斯半导体公司纽波特工厂 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据公开的实施例，一种复合金属－绝缘体－金属(MIM)电容器，包括下MIM电容器的下电极，所述下MIM电容器的所述下电极位于半导体芯片的下互连金属层中。所述复合MIM电容器还包括所述下MIM电容器的上电极，所述下MIM电容器的所述上电极位于下层间介质内，其中所述下层间介质分隔所述下互连金属层与上互连金属层。所述上MIM电容器的下电极位于所述上互连金属层中。所述上MIM电容器的上电极位于所述上层间介质内，所述上层间介质再位于所述上互连金属层上。所述下MIM电容器的所述上电极连接至所述上MIM电容器的所述下电极，而所述下MIM电容器的所述下电极连接至所述上MIM电容器的所述上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 具有 降低 电压 相关性 高密度 复合 金属 绝缘体 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体芯片中的复合电容器，所述复合电容器包括：下电容器的下电极，所述下电容器的所述下电极位于所述半导体芯片中的下互连金属层中；所述下电容器的上电极，所述上电极位于下层间介质层内，所述下层间介质层分隔所述下互连金属层和上互连金属层；上电容器的下电极，所述上电容器的所述下电极位于所述半导体芯片中的所述上互连金属层中；所述上电容器的上电极，所述上电极位于上层间介质层内，所述上层间介质层位于所述上互连金属层上；所述下电容器的所述上电极连接至所述上电容器的所述下电极；所述下电容器的所述下电极连接至所述上电容器的所述上电极，因此所述复合电容器为所述下电容器与所述上电容器的并联结合。
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