[发明专利]太阳能电池

摘要

提供了包含具有黄铜矿结构的化合物半导体的光吸收层并且具有优良特性例如转换效率的太阳能电池。该太阳能电池包括第一电极层，第二电极层，放置于第一电极层和第二电极层的p－型半导体层，和放置于p－型半导体层和第二电极层之间的n－型半导体层。该p－型半导体层包括含有Ib族元素，IIIb族元素，VIb族元素并且具有黄铜矿结构的化合物半导体。该p－型半导体层的带隙从n－型半导体层侧向第一电极层侧单调增加。p－型半导体层在n－型半导体层侧主表面上的带隙至少是1.08eV，并且p－型半导体层在第一导体层侧主表面上的带隙是至少1.17eV。在该p－型半导体层中，在n－型半导体层侧的第一区域和在第一电极层侧的第二区域在p－型半导体层的厚度方向上的带隙增加率各自不同。

主权项

1、一种太阳能电池，其包括：第一电极层、第二电极层、放置于第一电极层和第二电极层之间的p-型半导体层、以及放置于p-型半导体层和第二电极层之间的n-型半导体层，p-型半导体层包括含有Ib族元素、IIIb族元素、VIb族元素并且具有黄铜矿结构的化合物半导体，p-型半导体层具有从n-型半导体层侧向第一电极层侧单调增加的带隙，p-型半导体层在n-型半导体层侧主表面上的带隙是至少1.08eV，p-型半导体层在第一电极层侧主表面上的带隙是至少1.17eV，并且，在p-型半导体层中，在n-型半导体层侧的第一区域和在第一电极层侧的第二区域在p-型半导体层的厚度方向上的带隙增加率彼此不同。