[发明专利]用来改善耐久性的经涂覆的光学器件有效
| 申请号： | 200480009685.0 | 申请日： | 2004-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1771638A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | R·L·梅尔;P·M·特恩;R·W·斯帕罗 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/08 | 分类号： | H01S3/08;B32B9/00;B32B19/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈剑华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及能防止由短于250nm的UV激光束引起的损坏的经涂覆的金属氟化物晶体，制造这些经涂覆的晶体的方法，以及这些经涂覆的晶体的应用。所述方法包括以下步骤：提供通式为MF2的未经涂覆的金属氟化物晶体，式中M是铍、镁、钙、锶、钡、以及它们的混合物；用选定的材料涂覆所述未经涂覆的金属氟化物晶体，由此形成能防止激光引起的损坏的经涂覆的金属氟化物材料。优选的涂覆材料包括MgF2、掺杂MgF2的熔凝二氧化硅、以及掺杂氟的熔凝二氧化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 用来 改善 耐久性 经涂覆 光学 器件 | ||
【主权项】：
1.一种适合用作短于250nm波长的激光器中光程材料的经涂覆的光学材料，它包括：成形的光学单晶，它具有激光辐射进入和离开所述晶体用的光进入表面和光离开表面，以及位于所述单晶的至少光离开表面上的涂层，所述涂层选自SiN、MgF2、掺杂MgF2的熔凝二氧化硅、以及掺杂氟的熔凝二氧化硅。
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