[发明专利]场效应晶体管有效
申请号: | 200480009832.4 | 申请日: | 2004-05-21 |
公开(公告)号: | CN1774815A | 公开(公告)日: | 2006-05-17 |
发明(设计)人: | 藤川一洋;原田真;松波弘之;木本恒畅 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L29/808 | 分类号: | H01L29/808;H01L29/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在SiC单晶衬底(1)上,形成电场驰豫层(12)和p-型缓冲层(2)。电场驰豫层(12)被形成在p-型缓冲层(2)和SiC单晶衬底(1)之间,以使它与SiC单晶衬底(1)接触。在p-型缓冲层(2)上,形成n型半导体层(3)。在n型半导体层(3)上,形成p型半导体层(10)。在p型半导体层(10)上,n+型源极区域层(4)和n+型漏极区域层(5)彼此以预定的距离分开形成。在位于n+型源极区域层(4)和n+型漏极区域层(5)之间的p型半导体层(10)的区域的一部分上,形成p+型栅极区域层(6)。 | ||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】:
1.一种场效应晶体管,包括:具有主表面的半导体衬底(1);形成在所述半导体衬底(1)的主表面上的第一导电型的第一半导体层(12,2);形成在所述第一半导体层(12,2)上的第二导电型的第二半导体层(3);形成在所述第二半导体层(3)上的第一导电型的第三半导体层(10);形成在彼此所述第三半导体层(10)中的一对源极和漏极区域层(4,5),其以预定距离分开;以及形成在所述一对源极和漏极区域层(4,5)之间的所述第三半导体层(10)的区域的一部分上的栅极区域层(6),其中所述第一半导体层(12,2)包括缓冲层(2),其形成在所述第三半导体层(10)被安置的区域的一部分上,并具有第一杂质浓度,以及电场驰豫层(12),其形成在所述缓冲层(2)和所述半导体衬底(1)之间的区域上,以接触所述半导体衬底(1)并具有高于所述第一杂质层的第二杂质浓度。
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