[发明专利]磁电阻式随机存取存储器件结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200480010000.4 | 申请日： | 2004-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1774816A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 格雷格里·格里恩柯维奇;马克·德赫雷拉;马克·A·德尔拉姆;克拉伦斯·J·特雷希 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/82 | 分类号： | H01L29/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种MRAM器件结构(10)的制造方法包括提供衬底(12)，在所述衬底上形成第一晶体管(14)和第二晶体管(14)。形成与第一晶体管(14)电接触的有效磁隧道结元器件(60)。形成与第二晶体管(14)电接触的至少一部分假磁隧道结元器件(58)。将第一电介质层(62)淀积在至少一部分假磁隧道结元器件和有效磁隧道结元器件上。对第一电介质层进行蚀刻，从而同时形成至少一部分假磁隧道结元器件(58)的第一通路(64)，和有效磁隧道结元器件(60)的第二通路(66)。淀积导电互连层(68)，以便使所述导电互连层从至少一部分假磁隧道结元器件(58)延伸到所述有效存储元件(64)。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 随机存取存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁电阻式随机存取存储器件结构的制造方法，所述方法包括如下步骤：提供半导体衬底，所述衬底具有在其内形成的第一晶体管和第二晶体管；形成与所述第一晶体管电接触的有效磁隧道结元器件；形成与所述第二晶体管电接触的至少一部分假磁隧道结元器件；淀积第一电介质层使其上覆所述至少一部分假磁隧道结元器件和所述有效磁隧道结元器件；对所述第一电介质层进行构图和蚀刻，从而同时形成通向所述至少一部分假磁隧道结元器件的第一通路，和通向所述有效磁隧道结元器件的第二通路；以及淀积导电互连层，使所述导电互连层从所述至少一部分假磁隧道结元器件延伸到所述有效磁隧道结元器件。
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