[发明专利]浅槽隔离方法有效
| 申请号： | 200480010167.0 | 申请日： | 2004-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1774799A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | M·T·柯里;A·J·洛赫特费尔德 | 申请（专利权）人： | 琥珀波系统公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8234;H01L27/00;H01L29/772 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 范莉 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括晶体管和沟槽结构的结构，其中，沟槽结构只引起晶体管的槽道区域的一部分应变。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种结构包括：衬底；布置在衬底的第一区域上面的第一晶体管，该第一晶体管包括：布置在衬底的第一部分中的第一源区域和第一漏极区域；布置在第一源区域和第一漏极区域之间的第一槽道区域，该第一槽道区域有第一类型的应变；以及第一门，该第一门布置在第一槽道区域上面，并在第一源和第一漏极区域之间，该第一门包括从包含掺杂半导体、金属和金属化合物的组中选择的材料；以及第一沟槽结构，该第一沟槽结构靠近第一源区域和第一漏极区域中的一个的至少一侧，第一沟槽结构只引起第一槽道区域中的一部分第一类型应变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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