[发明专利]多孔质下层膜和用于形成多孔质下层膜的形成下层膜的组合物无效
| 申请号： | 200480010255.0 | 申请日： | 2004-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1774673A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 竹井敏;境田康志 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在半导体器件制造中的光刻工艺中使用的下层膜，其不会与光致抗蚀剂层发生混合、比光致抗蚀剂具有更大的干蚀刻速度。具体来说，是提供一种形成下层膜的组合物，其含有发泡剂、有机材料和溶剂、或含有具有发泡性基团的聚合物和溶剂，其用于形成在半导体器件制造中使用的多孔质下层膜。由该组合物形成的下层膜，形成了在其内部具有空孔的多孔质结构，可以实现很大的干蚀刻速度。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 下层 用于 形成 组合 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体器件的制造中使用的光致抗蚀剂图形的形成方法，包括以下工序：在半导体基板上形成多孔质下层膜的工序、在该多孔质下层膜上形成光致抗蚀剂层的工序、对上述多孔质下层膜和上述光致抗蚀剂被覆的半导体基板进行曝光的工序、在上述曝光后对上述光致抗蚀剂进行显影的工序、和利用蚀刻来除去上述光致抗蚀剂已被显影除去部分的多孔质下层膜的工序。
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