[发明专利]进行热处理的装置和方法无效
| 申请号： | 200480010264.X | 申请日： | 2004-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1774792A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | T·埃森哈默;T·马特;G·施特里特马特;K·查普夫 | 申请（专利权）人： | 尤纳克西斯巴尔策斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 苏娟;胡强 |
| 地址： | 列支敦士*** | 国省代码： | 列支敦士登;LI |
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| 摘要： | 本发明涉及用于基质热处理的装置和方法，带有一个环形的热处理区域，该区域有一个转盘来接收基质保持件，其中基质保持件至少是两个接连被放置在热处理区域中，热处理区域仍以辐状径向围绕转盘中心布置。 | ||
| 搜索关键词： | 进行 热处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于基质热处理的装置，带有一个环形的热处理区域，该区域具有一个转盘用来容纳基质保持件，所述装置还带有一个围绕转盘中间轴线的核心区域(4)，还带有一个围绕热处理区域的罩区域(3，6)，还带有一个用于基质保持件的进料和卸料区域(1，2)，还带有至少有一个用于加热气流的热源和气流导向装置，其特征在于，基质保持件至少是两个接连地设在热处理区域中，热处理区域辐状径向绕转盘中心布置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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