[发明专利]在聚(亚芳基亚乙烯基)合成期间控制分子量的方法及由此产生的聚合物有效
申请号: | 200480010273.9 | 申请日: | 2004-04-13 |
公开(公告)号: | CN1778001A | 公开(公告)日: | 2006-05-24 |
发明(设计)人: | 赫伯特·施普赖策;海因里克·贝克;埃尔弗里德·胡夫斯基 | 申请(专利权)人: | 科文有机半导体有限公司 |
主分类号: | H01L51/30 | 分类号: | H01L51/30;C08G61/10;C08F2/38 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 郭国清;樊卫民 |
地址: | 德国法*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种方法,其中加入某种除了氢以外还有另外取代基、且其上两个甲基的至少一个带有离去基团的双(甲基)芳基化合物,在聚(亚芳基亚乙烯基)合成中可重复地控制分子量,而且可以通过GILCH聚合或者亚磺酰前体途径实现,本发明也涉及一种通过本发明方法可获得的聚合物。 | ||
搜索关键词: | 亚芳基亚 乙烯基 合成 期间 控制 分子量 方法 由此 产生 聚合物 | ||
【主权项】:
1.一种通过碱引发脱氢卤化,从双(卤甲基)亚芳基,或者从卤甲基亚磺酰基甲基亚芳基制备聚(亚芳基亚乙烯基)的方法,特征在于反应是在0.1-80mol%的一种或多种通式(I)的化合物存在下进行的:通式(I)其中符号定义如下:芳基在每一情况是相同或者不同的,是二价芳香化合物或者杂芳族化合物的环状体系,具有2~40个碳原子,而且可被R1基团取代或未被取代,或者是R1-取代的或者未取代的亚芪基单元;排列两个取代基CHXR和CHYR以使它们之间存在偶数个芳香化合物原子;芳基和杂芳基体系同样可为较大的稠合芳环体系的一部分;可能的取代基R1可能位于任何空位;R 在每一情况是相同或者不同的,是具有1~40个碳原子的烷基链,可能是直链、支链或者环状的,也可是被一种或多种R1基团取代的或者未取代的,其中一种或多种不相邻的碳原子也可被-CR2=CR2-、-C≡C-、-NR2-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-CONR2-、-O-CO-O-取代,一种或多种氢原子也可被氟取代,是芳香化合物或者杂芳族化合物环状体系,具有2~40个碳原子,而且可被R1基团取代或者未被取代,或者是R1-取代的或者未取代的均二苯乙烯基或者二苯乙炔基单元、-Si(R2)3、-N(R2)2、-OR2,或者这些体系的组合;芳基和杂芳基体系也可为较大的稠合芳环体系的一部分;可能的取代基可能位于任何空位;X 在每一情况是相同或者不同的,是氯、溴、碘、三氟甲烷磺酸盐或者芳基磺酸盐;Y 在每一情况是相同或者不同的,是氯、溴、碘、三氟甲烷磺酸盐、芳基磺酸盐、-S(O)-R2或者R1;R1在每一情况是相同或者不同的,是具有1~40个碳原子的直链、支链或者环状的烷基链,其中一种或多种不相邻的碳原子也可被-CR2=CR2-、-C≡C-、-NR2-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-CONR2-、-O-CO-O-取代,一种或多种氢原子也可被氟取代,是具有2~40个碳原子的芳香化合物或者杂芳族化合物环状体系,也可由一种或多种非芳香性的R1基团取代,取代的或者未取代的乙烯基或者氯、氟、CN、N(R2)2、B(R2)2;芳基和杂芳基体系也可为较大的稠合芳环体系的一部分;可能的取代基可能位于任何空位;两个或多个R1基团一起也可形成环状体系;R2在每一情况是相同或者不同的,是具有1~22个碳原子的直链、支链或者环状的烷基链,其中一种或多种不相邻的碳原子也可被-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-O-取代,一种或多种氢原子也可被氟取代,是具有2~40个碳原子的芳基或者杂芳基体系,也可被一种或多种非芳香性的R1基团取代。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科文有机半导体有限公司,未经科文有机半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480010273.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:已调制脉冲的超声功率传送系统及方法
- 下一篇:一种虫草双参酒
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择