[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200480010309.3 | 申请日: | 2004-02-13 |
公开(公告)号: | CN1774814A | 公开(公告)日: | 2006-05-17 |
发明(设计)人: | S·C·洪 | 申请(专利权)人: | 微米技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/16 | 分类号: | H01L27/16 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯;梁永 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种CMOS成像装置,包括用于红、绿和蓝光的双像素检测系统。一个像素检测红和蓝光,而另一个像素检测绿光。红和蓝的检测基于波长,并且这样构造所述装置,使得在所述红/蓝像素中,蓝光的检测是在浅衬底深度上,而同时红光的检测是在深衬底深度上。这样构造所述像素阵列,使得所述红/蓝像素与所述绿像素相邻,并且在红/蓝像素和绿像素之间进行交错。本发明还涉及形成这样的成像器阵列和像素的方法。 | ||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种双色像素,它包括:具有表面的衬底;第一颜色分量光电转换装置,它位于所述衬底表面以下,光的第一波长的第一吸收深度上;和第二颜色分量光电转换装置,它位于所述衬底表面以下,光的第二波长的第二吸收深度上;其中,所述第一颜色分量光电转换装置和所述第二颜色分量光电转换装置在所述衬底内纵向重叠,使得所述第一颜色分量光电转换装置位于比所述第二颜色分量光电转换装置更接近所述衬底的表面的位置上,而且所述第一和第二颜色分量光电转换装置在深度方向上被所述衬底的不产生光生电荷的区域彼此隔开;以及双色输出处理电路,它分别连接到所述第一和第二颜色分量光电转换装置,用于提供与所述第一和第二颜色分量光电转换装置各自产生的电荷对应的输出信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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