[发明专利]检查探测器无效
申请号: | 200480010334.1 | 申请日: | 2004-04-15 |
公开(公告)号: | CN1774638A | 公开(公告)日: | 2006-05-17 |
发明(设计)人: | 谷冈道修;服部敦夫 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社;雅马哈株式会社 |
主分类号: | G01R1/073 | 分类号: | G01R1/073 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 以往的晶片检查用探测器,在40μm间距以下的细微间距的情况下,根据构成材料与制造方法,存在很难确保位置精度、因针径细微导致接触时产生针破坏、因接触力不足而无法得到良好的接触、以及耐久性不足的问题。为了解决这些问题,本发明中的检查探测器,为由:具备有弹性的探针(3)与布线层(5)的基材(4)、设置基材的支持板(7)、检查基板(8)、以及有柔软性的基板(6)构成的探测器结构,其特征在于,具有探针前端上根据半导体装置的电极材料形成接触性良好的材料层(10)、布线层上形成低电阻金属层(9)的结构,且接触性良好的材料层与低电阻金属层相分离。通过该构造,在40μm间距以下的超细微间距中,能够得到非常高的接触可靠性与机械耐久性。 | ||
搜索关键词: | 检查 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种检查探测器,检查半导体装置(1)的电气特性,其特征在于:具有:基材(4);设置在上述基材上的布线层(5);与上述布线层电连接,且从基材上突出设置的探针(3);设置在上述探针的前端的第1金属层(10);以及,形成在上述布线层上的第2金属层(9),且为上述第1金属层(10)与上述第2金属层(9)分离的构造。
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