[发明专利]发光装置无效
| 申请号： | 200480010369.5 | 申请日： | 2004-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN1774813A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 亚历克斯易·A·尔恰克;约翰·W·葛瑞福;麦可·格雷葛利·布朗;史考特·W·邓肯 | 申请（专利权）人： | 发光装置公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;谢丽娜 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了发光装置及其相关元件、系统和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种制造发光装置的方法，包括：将反射材料层与p-掺杂材料层结合，其中，所述发光装置包括含有p-掺杂材料层、光产生区域、和第一层的多重材料堆叠层；所述第一层包括具有根据一图形而在空间上变化的介电函数的表面；和所述反射层能够反射由所述光产生区域产生的、撞击到所述反射材料层上的光线的至少大约50％的光线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
