[发明专利]净化铜或镍的等离子体处理无效
| 申请号： | 200480010539.X | 申请日： | 2004-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN1777702A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 米兰·莫齐蒂克;尤罗斯·克维尔巴 | 申请（专利权）人： | 科莱克特集团公司 |
| 主分类号： | C23G5/00 | 分类号： | C23G5/00;H01L21/306;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 侯宇;陶凤波 |
| 地址： | 斯洛文尼*** | 国省代码： | 斯洛文尼亚;SI |
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| 摘要： | 本发明涉及一种处理电子构件的方法，这些构件用铜或镍或它们相互之间或与其他材料的合金例如黄铜制成或用它们包覆，该方法包括下列步骤：将所述构件安置在一处理室内；将所述处理室抽成真空；将氧气导入到所述处理室内；确保所述处理室内压强在10－1至50mbar范围内以及借助频率高于约1MHz的高频发生器在该处理室内激发等离子体；使氧原子团作用到所述构件上，此时流到构件表面上的原子团流量大于每秒每平方米约1021个原子团；对所述处理室抽气；将氢气导入到所述处理室内；确保所述处理室内的压强在10－1至50mbar范围内以及借助频率高于约1MHz的高频发生器在该处理室内激发等离子体；使氢原子团作用到所述构件上，此时流到构件表面上的原子团流量大于每秒每平方米约1021个原子团。 | ||
| 搜索关键词： | 净化 等离子体 处理 | ||
【主权项】：
1.一种处理电子构件的方法，这些构件用铜或镍或它们相互之间或与其他材料构成的合金例如黄铜制成或用它们包覆，所述方法包括下列步骤：将所述构件安置在一处理室内；将所述处理室抽成真空；将氧气导入到所述处理室内；确保所述处理室内压强在10-1至50mbar范围内以及借助频率高于约1MHz的高频发生器在该处理室内激发等离子体；使氧原子团作用到所述构件上，此时流到构件表面上的原子团流量大于每秒每平方米约1021个原子团；对所述处理室抽气；将氢气导入到所述处理室内；确保所述处理室内的压强在10-1至50mbar范围内以及借助频率高于约1MHz的高频发生器在该处理室内激发等离子体；使氢原子团作用到所述构件上，此时流到构件表面上的原子团流量大于每秒每平方米约1021个原子团。
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