[发明专利]成膜方法有效
申请号: | 200480010609.1 | 申请日: | 2004-02-12 |
公开(公告)号: | CN1777693A | 公开(公告)日: | 2006-05-24 |
发明(设计)人: | 长谷川敏夫 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/455;H01L21/285 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 孙秀武;李连涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种在能真空抽吸的处理容器内在被处理体的表面形成金属氮化膜的方法。本发明的方法具备下述工序:向高成膜温度的处理容器内连续地供给惰性气体的工序;和在上述惰性气体的连续的供给工序中,向处理容器内间歇地供给金属源气体的工序。在上述金属源气体的间歇的供给工序中,在上述金属源气体的供给期间中,在供给上述金属源气体的同时向处理容器内供给含氮还原气体。另外,在上述金属源气体的间歇的供给工序中,在上述金属源气体的间歇期间中,在比该间歇期间短的期间向处理容器内供给上述含氮还原气体。在上述金属源气体的1次供给期间中形成的上述金属氮化膜的膜厚是60nm或以下。根据本发明,即使在比较高的温度下进行成膜处理,也能够堆积氯浓度低、电阻率也小、还抑制了裂纹发生的金属氮化膜。 | ||
搜索关键词: | 方法 | ||
【主权项】:
1.一种成膜方法,是在能真空抽吸的处理容器内在被处理体的表面形成金属氮化膜的方法,其特征在于,具备下述工序:向高成膜温度的处理容器内连续地供给惰性气体的工序;在上述惰性气体的连续的供给工序中,向处理容器内间歇地供给金属源气体的工序;在上述金属源气体的间歇的供给工序中,在上述金属源气体的供给期间中,在供给上述金属源气体的同时向处理容器内供给含氮还原气体的工序;和在上述金属源气体的间歇的供给工序中,在上述金属源气体的间歇期间中,在比该间歇期间短的期间向处理容器内供给上述含氮还原气体的工序,其中在上述金属源气体的1次供给期间中形成的上述金属氮化膜的膜厚是60nm或以下。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的