[发明专利]有机发光二极管无效
申请号: | 200480010622.7 | 申请日: | 2004-02-24 |
公开(公告)号: | CN1778002A | 公开(公告)日: | 2006-05-24 |
发明(设计)人: | 罗伯特·凯米尔蒂;黄炳;马克·罗伯达 | 申请(专利权)人: | 陶氏康宁公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种有机发光二极管,它包含:第一和第二阻挡涂层,其中,阻挡涂层选自:(i)非晶碳化硅,(ii)包含选自F、N、B、P中至少一种元素的非晶碳化硅合金,(iii)氢化的碳氧化硅,(iv)借助于(a)用电子束对氢倍半硅氧烷树脂进行固化或(b)用化学气相淀积工艺使氢倍半硅氧烷树脂发生反应而制备的涂层,以及(v)由(i)、(ii)、(iii)、(iv)中至少二个组成的多层组合。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 | ||
【主权项】:
1.一种有机发光二极管,它包含:(A)具有第一相反表面和第二相反表面的衬底;(B)衬底第一相反表面上的第一阻挡涂层,其中,第一阻挡涂层选自:(i)非晶碳化硅,(ii)包含选自F、N、B、P中至少一种元素的非晶碳化硅合金,(iii)氢化的碳氧化硅,(iv)包含氧化硅的涂层,借助于(a)用电子束对氢倍半硅氧烷树脂进行固化或(b)用化学气相淀积工艺使氢倍半硅氧烷树脂发生反应,来制备此涂层,以及(v)由(i)、(ii)、(iii)、(iv)中至少二个组成的多层组合;(C)第一阻挡涂层上的第一电极层;(D)第一电极层上的发光元件;(D)发光元件上的第二电极层;以及(E)第二电极层上的第二阻挡涂层,其中,第二阻挡涂层选自:(i)非晶碳化硅,(ii)包含选自F、N、B、P中至少一种元素的非晶碳化硅合金,(iii)氢化的碳氧化硅,(iv)包含氧化硅的涂层,借助于(a)用电子束对氢倍半硅氧烷树脂进行固化或(b)用化学气相淀积工艺使氢倍半硅氧烷树脂发生反应,来制备此涂层,以及(v)由(i)、(ii)、(iii)、(iv)中至少二个组成的多层组合;其中,第一电极层和第二电极层中的至少一个是透明的,倘若第二电极层不透明,则衬底是透明的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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