[发明专利]包括场效应晶体管的半导体器件及其操作方法

摘要

本发明特别涉及一种具有漏极延展部(8)的横向DMOST。在公知的晶体管中，另一金属条(20)设置在栅电极接触条与漏极接触(16)之间，该漏极接触电连接于源极区接触(15)。在这里所提出的器件中，在另一金属条(20)与源极接触(15、12)之间的连接包括电容器(30)且该另一金属条(20)设置有用于向该另一金属条(20)传送电压的另一接触区(35)。这样，能够改善线性度，且特别是提高了器件在高功率和高频率下的有用性。优选电容器(30)与晶体管集成在单个半导体主体(1)上。本发明还包括操作根据本发明的器件(10)的方法。

主权项

1、一种半导体器件，包括半导体主体，该半导体主体在表面处设置有场效应晶体管且包括重掺杂源极区和漏极区以及在源极区与漏极区之间延伸的沟道区，还存在栅电极，其与沟道区交迭并垂直投影于其上，其中源极区、漏极区和栅电极在表面处分别连接到金属源极接触、漏极接触和栅电极接触，且其中，在栅电极接触与漏极接触之间放置另一金属条，该金属条与半导体主体绝缘，局部地电连接于源极条，并在栅电极与漏极接触之间形成屏蔽，其特征在于，该另一金属条与源极接触之间的电连接包括电容器，且其特征还在于该另一金属条设置有用于向该另一金属条施加外部电压的连接接触。