[发明专利]双极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200480010707.5 | 申请日： | 2004-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1777995A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | J·贝克;T·梅斯特;R·施滕格尔;H·谢菲尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/08;H01L29/732 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高频双极晶体管(1)，包括至少一个与发射极连接区(3)邻接的发射极接触(2)、与基极连接区(5)邻接的基极接触(4)、与集电极连接区(7)邻接的集电极接触(6)。埋层(7)作为集电极连接区域提供，用于连接集电极接触(6)和集电极区(14)。本发明也涉及制造一个这种(15)高频双极晶体管(1)的方法。本发明的特征在于在埋层(7)上提供硅化物区域(8)，所述硅化物区域以低电阻的方式将集电极接触(6)连接到集电极区(14)。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高频双极晶体管(1)，至少包括：-与发射极连接区域(3)邻接的发射极接触(2)，-与基极连接区域(5)邻接的基极接触(4)，-与集电极连接区域(7)邻接的集电极接触(6)，埋层(7)作为集电极连接区域提供，所述埋层将集电极接触(6)连接到集电极区(14)，其特征在于在埋层(7)上提供硅化物区域(8)，所述硅化物区域以低阻抗的方式将集电极接触(6)连接到集电极区(14)。
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