[发明专利]在SOI光学平台上形成的亚微米平面光波设备有效
| 申请号： | 200480010730.4 | 申请日： | 2004-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101052905A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 普拉卡什·约托斯卡;马格利特·吉龙;罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里;威普库马·帕特尔;卡尔潘都·夏斯特里;索哈姆·帕塔克;凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇 | 申请（专利权）人： | 斯欧普迪克尔股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/42;G02B6/26 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 颜涛;郑霞 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一组平面的、二维的光学设备，其能够在SOI结构的亚微米表面层上或者在SOI表面层和覆盖的聚硅层的亚微米厚组合物上制备。可以应用传统的覆盖/蚀刻技术在SOI平台上形成各种有源和无源设备。可以对设备的各个区进行掺杂以形成有源设备结构。另外，聚硅层可以被单独图形化，为传输的光信号提供有效模指数变化区。 | ||
| 搜索关键词： | soi 光学 平台 形成 微米 平面 光波 设备 | ||
【主权项】：
1.一种SOI基光学装置，用于调节传输的光波信号，该装置包括：硅基质；置于硅基质上的绝缘层；和置于绝缘层上的单晶硅层，该单晶硅层具有小于1微米的厚度，并在预定的区域被蚀刻以便暴露下面的绝缘层，在残余的亚微米单晶硅区和产生界面的蚀刻区之间折射率的差异用于调节传输的光信号的性能。
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