[发明专利]半导体晶片的实时在线测试无效
| 申请号： | 200480010765.8 | 申请日： | 2004-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1777984A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 爱德华·齐季尔科夫斯基;肯尼思·斯蒂普莱斯 | 申请（专利权）人： | QC塞路斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于在制造过程期间半导体晶片的实时、在线测试的装置和方法。在一个实施例中，装置包括在半导体晶片加工线内的探测器组件。当每个晶片行进到接近探测器组件时，探测器组件内具有预定波长和调制频率的已调制光源照射到晶片上。探测器组件中的传感器测量由已调制光感应的表面光电压。然后计算机使用感应的表面光电压来确定晶片的各种电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 实时 在线 测试 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体处理期间电表征半导体晶片的方法，所述方法包括以下步骤：在所述晶片上执行离子注入；使所述晶片退火；传送所述晶片，使得在所述半导体处理期间，所述晶片的表面基本上平行于头部组件的表面光电压电极；将所述晶片的至少一部分暴露给具有一波长并以一频率调制的光；用所述表面光电压电极检测在所述晶片的所述表面响应所述光而感应的光电压；以及由在所述晶片的所述表面所感应的所述光电压来计算所述晶片的电特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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