[发明专利]氧化铜薄膜低摩擦材料及其成膜方法无效
| 申请号： | 200480010869.9 | 申请日： | 2004-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN1802449A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 后藤真宏;笠原章;大石哲雄;土佐正弘;吉原一纮 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人物质·材料研究机构 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请的发明涉及在成膜用基板上由等离子沉积形成以CuO为主的氧化铜薄膜，并可显著低地控制其摩擦系数。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铜 薄膜 摩擦 材料 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.氧化铜薄膜低摩擦材料的成膜方法，其特征在于：在成膜用基板上，在真空减压下，由等离子沉积形成以CuO为主的氧化铜薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于独立行政法人物质·材料研究机构，未经独立行政法人物质·材料研究机构许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480010869.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于裂解炉的辐射管
- 下一篇：再现设备和显示控制方法
- 同类专利
- 专利分类
