[发明专利]具有自对准的源区和阱区的碳化硅功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 200480010960.0 | 申请日： | 2004-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN1777982A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | S·－H·瑞 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 过连续地蚀刻掩模层以提供用于形成第一导电类型的源区、与第一导电类型相反的第二导电类型的掩埋碳化硅区域、和在第一导电类型的碳化硅层中的第二导电类型阱区的窗口，提供了碳化硅半导体器件和碳化硅半导体器件的制备方法。利用该掩模层的第一窗口形成该源区和该掩埋的碳化硅区域。然后，利用该掩模层的第二窗口形成该阱区，通过随后蚀刻具有该第一窗口的该掩模层提供该第二窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 碳化硅 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅功率器件的制备方法，包括：连续地图案化掩模层，以提供用于形成第一导电类型的源区、与第一导电类型相反的第二导电类型的掩埋碳化硅区域、和在第一导电类型的碳化硅层中的第二导电类型阱区的窗口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于克里公司，未经克里公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480010960.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
