[发明专利]硅氧化膜的去除方法及处理装置有效
| 申请号： | 200480011043.4 | 申请日： | 2004-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN1777980A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 长谷部一秀;冈田充弘;千叶贵司;小川淳 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种将自然氧化膜或化学氧化膜等硅氧化膜，在远高于室温的温度下有效地去除的硅氧化膜的去除方法。本方法用于在可以进行真空排气的处理容器(18)内，去除形成在被处理体(W)表面的硅氧化膜，使用HF气体与NH3气体的混合气体去除所述硅氧化膜。通过如此使用HF气体与NH3气体的混合气体可有效地去除形成在被处理体表面的硅氧化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 去除 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种硅氧化膜的去除方法，用于在可以进行真空排气的处理容器内，去除形成在被处理体表面的硅氧化膜，其特征在于：使用HF气体和NH3气体的混合气体去除所述硅氧化膜。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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