[发明专利]具有用于HCI编程的源电极偏压的非易失性存储器有效
| 申请号： | 200480011128.2 | 申请日： | 2004-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1781157A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 乔恩·S·乔伊;高里尚卡尔·真达洛尔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李涛;钟强 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 存储器(10)的每个单元(60，62，64，66)可首先通过源极偏置进行编程，该源极偏置通常对于编程单元(60－66)有效。如果某个单元(60－66)在第一次尝试中没有成功编程，这通常是由于与没有成功编程的该单元(60－66)处于同一列(74，78)的许多单元(60－66)具有较低的门限电压，即使栅极接地，对这些存储器单元(60－66)偏置足够低的门限电压，以将其导通。绝大多数单元(60－66)不存在这种问题，但对于确实具有该低门限电压特性的一些存储器单元(60－66)是常见的。为了克服此问题，在后面的编程尝试期间施加不同的源极偏置。从而，绝大多数的单元(60－66)在较快编程条件下编程，并且仅有几个需要使用较慢方法的单元通过较慢的方法编程。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 hci 编程 电极 偏压 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种用于编程非易失性存储器单元的方法，该方法包括：向存储器单元的漏极施加第一编程脉冲，该存储器单元的所述源极处于第一电压电平；施加第一编程脉冲之后，向该存储器单元的漏极施加第二编程脉冲，该存储器单元的源极处于第二电压电平，该第二电压电平不同于第一电压电平。
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