[发明专利]场发射电极的制造方法无效
| 申请号： | 200480011331.X | 申请日： | 2004-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1781174A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | T·J·温克;J·马拉 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;陈景峻 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及场发射电极的制造方法，其中该电极包含场发射电极衬底(1)和排列在所述场发射电极衬底(1)上的多个发射体颗粒(2)，该方法包含步骤：将所述发射体颗粒(2)在载气流中分散成烟雾状发射体颗粒(2)；对所述发射体颗粒(2)充电；以及通过至少一个出口(14)将载气流中的所述带电发射体颗粒(2)引导向场发射电极衬底(1)，同时维持衬底(1)和靠近该出口的沉积电极(10)之间的电场，之后将所述带电发射体颗粒(2)沉积并粘附到所述场发射电极衬底(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电极 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造场发射电极的方法，该电极包含场发射电极衬底(1)和排列在所述场发射电极衬底(1)上的多个发射体颗粒(2)，该方法包含步骤：将所述发射体颗粒(2)在载气流中分散成烟雾状发射体颗粒(2)；对所述发射体颗粒(2)充电；以及通过至少一个出口(14)将载气流中的所述带电发射体颗粒(2)引导向场发射电极衬底(1)，同时维持衬底(1)和靠近该出口的沉积电极(10)之间的电场，之后将所述带电发射体颗粒(2)沉积并粘附到所述场发射电极衬底(1)。
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